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J-GLOBAL ID：201302271367546687   整理番号：13A0015142

付加的多結晶シリコンボディのあるブロック酸化膜ソース/ドレイン結合多結晶シリコン薄膜トランジスタの実験的研究

An Experimental Study of Block-Oxide Source/Drain-Tied Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors With Additional Polycrystalline-Silicon Body

著者 (3件)： LIN Jyi-Tsong (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  ENG Yi-Chuen (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  FAN Yi-Hsuan (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3377-3381  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 付加的ポリシリコンボディ(APSB)のあるブロック酸化膜(BO)ソース/ドレイン結合(SDT)(BOSDT)ポリSiTFTと,APSBのあるゼロBO(ZBO)SDT(ZBOSDT)ポリSiTFTを実験で比較した。実験の結果,BOSDT-APSBポリSi TFTの電気特性がZBOSDT-APSBポリSiTFTよりも優れていることが示された。BOはソースとドレインの電荷共有を減らすことにおいて非常に有用である。ZBOSDT-APSBポリSiTFTの電気特性は悪いが,ZBO(ポリSiボディ下だけに埋め込み酸化膜がある)とAPSBとの組み合わせは電荷共有効果を無くすために使用可能である。そして,両デバイスともソース/ドレイン結合構造によって冷却能力を高められる。

シソーラス用語： ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  性能 ,  能力 ,  電荷 ,  *素子構造 ,  酸化膜 ,  電流電圧特性 ,  半導体プロセス ,  *電気特性
準シソーラス用語： TFT【トランジスタ】 ,  多結晶シリコン ,  電荷共有 ,  埋込み酸化膜 ,  冷却能力

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多結晶シリコン ,  ボディ ,  酸化膜 ,  ソース ,  ドレイン ,  薄膜トランジスタ ,  実験的研究