文献

J-GLOBAL ID：201302271588420262   整理番号：13A1354438

2次元静電気効果を用いた無接合多重ゲートMOSFETのドーピング濃度とフラットバンド電圧の抽出法

Method for Extracting Doping Concentration and Flat-Band Voltage in Junctionless Multigate MOSFETs Using 2-D Electrostatic Effects

著者 (5件)： RUDENKO Tamara (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR) ,  YU Ran (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  BARRAUD Sylvain (LETI, Commissariat a l’Energies Atomique et aux Energies Alternatives, Grenoble, FRA) ,  CHERKAOUI Karim (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  NAZAROV Alexey (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 8  ページ： 957-959  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無接合多重ゲートナノワイヤMOSFETについて,その主要パラメータであるドーピング濃度(N_D)とフラットバンド電圧(V_FB)を抽出する新しい方法を提案した。いくつかの異なるナノワイヤ幅(W_NW)を有するMOSFETについて,dC_gc/dV_g-V_g特性を測定し,それから2次元静電気効果を考慮してN_aver-V_gカーブをプロットした。そのプロットにおいて異なるW_NWのカーブが交わる点が,そのFETのN_DとV_FBを示す。本方法は理論値とよく一致し,簡便であるので,FETの製造工程のモニタリングに採用することができる。

シソーラス用語： MOSFET ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ナノワイヤ ,  電圧 ,  容量電圧特性 ,  抽出 ,  *パラメータ ,  不純物濃度
準シソーラス用語： *ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  *パラメータ抽出 ,  フラットバンド電圧 ,  マルチゲートMOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 2次元 ,  静電気 ,  多重ゲート ,  MOSFET ,  ドーピング ,  フラットバンド電圧 ,  抽出法