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J-GLOBAL ID：201302271597984713   整理番号：13A1382723

Cu(Mg)合金膜を用いたガラス基板上のCu相互接続の合成における処理温度の低減

Process-Temperature Reduction on Synthesis of Cu Interconnects on Glass Substrates Using Cu(Mg) Alloy Films

著者 (5件)： HAMASAKA K. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  ITO K. (Osaka Univ.) ,  HAYAKAWA Y. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  SHIRAI Y. (Kyoto Univ., Uji, JPN) ,  MURAKAMI M. (Ritsumeikan Trust)
資料名： Annual Report of Quantum Science and Engineering Center  (Annual Report of Quantum Science and Engineering Center)
巻： 15  ページ： 113-116  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： L6689A  ISSN： 1345-0700  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅は薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(LCD)のゲート及び相互接続材料として非常に魅力的である。可飽和Cu(Ti)合金膜を用いてガラス基板上に低電気抵抗率で優れた吸着力を有するCu相互接続を作製した。しかし,この方法は高い処理温度と長い処理時間を要する。これを克服するために,Cu(0.5at%Mg)合金膜をガラス基板上に蒸着し,300°Cで20分~3時間焼なました。電気抵抗率は約2.8μΩcmに低下し,Cu(Mg)/ガラス界面の引張強さが約40MPaへ上昇した。

シソーラス用語： *銅合金 ,  マグネシウム含有合金 ,  *薄膜成長 ,  *相互接続 ,  金属薄膜 ,  温度 ,  焼なまし ,  電気抵抗率 ,  引張強さ ,  基板
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  熱処理温度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Mg ,  合金 ,  ガラス基板 ,  相互接続 ,  処理温度