文献

J-GLOBAL ID：201302271627825828   整理番号：13A0484528

AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析

Analysis of drain leakage current in AlGaN/GaN HEMT

著者 (8件)： 林一夫 (三菱電機) ,  大石敏之 (三菱電機) ,  加茂宣卓 (三菱電機) ,  山口裕太郎 (三菱電機) ,  大塚浩志 (三菱電機) ,  山中宏治 (三菱電機) ,  中山正敏 (三菱電機) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 381(MW2012 142-157)  ページ： 69-74  発行年： 2013年01月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した。まず,ピンチオフ電圧以下のドレイン電流の温度依存性からGaN層中に活性化エネルギー0.15,0.5eVの2種類のトラップがあり,電子は空間電荷制限機構により電導していることがわかった。次にこれらの実測値を参考にTCADシミュレーションを実施した。その結果,トラップが存在することで,ドレインリーク電流が抑制されることがわかった。これは,トラップが負に帯電することで,伝導帯エネルギーが上昇し,電子に対する障壁が増加するためである。(著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *ドレイン【半導体】 ,  *漏れ電流 ,  *CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  キャリア捕獲 ,  空間電荷制限電流 ,  帯電 ,  伝導バンド ,  ポテンシャル障壁 ,  電流密度 ,  電流分布
準シソーラス用語： TCAD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ドレイン ,  リーク電流 ,  解析