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J-GLOBAL ID：201302272041082750   整理番号：13A1290714

200°Cでのプラズマ支援化学蒸着法によって堆積した高品質エピタキシャルシリコン膜の界面の微調整

Fine-tuning of the interface in high-quality epitaxial silicon films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition at 200 °C

著者 (3件)： MORENO Mario (National Inst. for Astrophysics, Puebla, MEX) ,  PATRIARCHE Gilles (Lab. de Photonique et de Nanostructures LPN, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  CABARROCAS Pere Roca i (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 28  号： 13  ページ： 1626-1632  発行年： 2013年07月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン薄膜のエピタキシャル成長法のなかで,プラズマ支援化学蒸着法(PECVD)は,超高真空を必要とせず,低温でエピタキシャル成長が可能であるという利点を持つ。本研究では,標準的な高周波PECVD装置を用いて,〈100〉シリコン基板上に200°Cという低温で高品質シリコン薄膜を堆積させた。SiF₄プラズマで基板表面の酸化膜を除去し,そのまま真空を破らずに,SiF₄,H₂,Ar混合ガスによってシリコン膜を成長させ,H₂/SiF₄流量比率が膜の品質と,基板と膜の界面構造に及ぼす影響を調べた。その結果,その比を変化させることによって界面の組成を微調整することができ,低いH₂/SiF₄流量比は,急峻な界面を形成することがわかった。そして高い流量比では,水素を含む空洞を持つ壊れやすい界面が得られることがわかった。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *ケイ素 ,  *品質 ,  *半導体薄膜 ,  *プラズマCVD ,  蒸着膜 ,  *界面 ,  基板 ,  ウエハ【IC】 ,  表面構造 ,  調整 ,  酸化膜 ,  除去 ,  *フッ化ケイ素 ,  薄膜成長 ,  *水素 ,  アルゴン ,  *比率 ,  流量
準シソーラス用語： Siウエハ ,  エピタキシャル成長 ,  シリコン ,  プラズマ支援化学蒸着法 ,  界面構造 ,  高品質 ,  流量比

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ支援化学蒸着法 ,  堆積 ,  高品質 ,  エピタキシャル ,  シリコン膜 ,  界面 ,  微調整