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J-GLOBAL ID：201302272379296275   整理番号：13A1229043

光学及びX線法によるZnO構造の評価

Characterization of ZnO structures by optical and X-ray methods

著者 (12件)： PETRIK P. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol., Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  PETRIK P. (Inst. for Technical Physics and Materials Sci. (MFA), Res. Center for Natural Sciences, Konkoly Thege Rd. 29-33 ...) ,  POLLAKOWSKI B. (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, DEU) ,  ZAKEL S. (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Bundesallee 100, D-38116 Braunschweig, DEU) ,  GUMPRECHT T. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol., Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  GUMPRECHT T. (Erlangen Graduate School in Advanced Optical Technologies (SAOT), Paul-Gordan-Strasse 9, 91052 Erlangen, DEU) ,  BECKHOFF B. (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, DEU) ,  LEMBERGER M. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol., Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  LABADI Z. (Inst. for Technical Physics and Materials Sci. (MFA), Res. Center for Natural Sciences, Konkoly Thege Rd. 29-33 ...) ,  BAJI Z. (Inst. for Technical Physics and Materials Sci. (MFA), Res. Center for Natural Sciences, Konkoly Thege Rd. 29-33 ...) ,  JANK M. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol., Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  NUTSCH A. (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, DEU)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 281  ページ： 123-128  発行年： 2013年09月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga及びInをドープしたZnO薄膜及びZnO/Al₂O₃多層構造をX線蛍光法,Raman分光法,分光エリプソメトリ法及び真空紫外反射測定法により調べた。光学特性の系統的変化が1%以下のGa濃度のときでさえ明らかになった。Gaドーピングの580cm^-1Raman活性フォノンモードはGa濃度との相関を示した。表面ナノ粗さを修正した光学モデル及び誘電関数のいろいろなパラメータ表現を調べた。Hertzinger-Johs多項式パラメータ表現及び直接反転により求めた誘電関数の間の一致はよかった。ナノ粗さの修正は層特性決定の精度に大きく影響することが分かった。励起子遷移に対応する誘電関数の虚数部のバンドギャップ及び振幅のピークはGa量とともに系統的に変化し,低濃度においてさえもアニールにより変化した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ガリウム ,  *インジウム ,  ドーピング ,  アルミナ ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  多層膜 ,  *偏光解析法 ,  Ramanスペクトル ,  *真空紫外線 ,  *光学定数 ,  誘電関数 ,  深さ分布 ,  *スパッタ蒸着 ,  光学ギャップ ,  固有X線 ,  *X線スペクトル ,  透明材料 ,  薄膜成長 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 分光偏光解析法 ,  蛍光X線 ,  Si基板

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光学 ,  X線法 ,  ZnO ,  評価