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J-GLOBAL ID：201302272403178599   整理番号：13A0794618

ナノスケールデバイス接合のバンド間リーク電流の原子論的ドーピングに誘起された変動性の証拠

Evidence for an Atomistic-Doping Induced Variability of the Band-to-Band Leakage Current of Nanoscale Device Junctions

著者 (8件)： GHETTI A. (Micron Technol. Inc., Agrate Brianza (MB), ITA) ,  MONZIO COMPAGNONI C. (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  DIGIACOMO L. (Micron Technol. Inc., Agrate Brianza (MB), ITA) ,  VENDRAME L. (Micron Technol. Inc., Agrate Brianza (MB), ITA) ,  SPINELLI A. S. (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  SPINELLI A. S. (IFN, CNR, Milano, ITA) ,  LACAITA A. L. (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  LACAITA A. L. (IFN, CNR, Milano, ITA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 708-711  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールp-n接合のバンド間(B2B)リーク電流がn型とp型ドーピング両方の原子論的性質によって統計的分散を持つことを示す。TCADモデリングによって,変動性はプロセス許容度の結果ではあり得ず,その主たる原因はランダム離散ドーピング(RDD)であることを示した。実際の接合の形状を正確に求め,3Dシミュレーションに原子論的ドーピングを含めることによって,B2B電流の統計的部分の主たる特徴を正確に再現出来た。すなわち,その対数正規分布とデバイス幅Wのスケーリング傾向である。B2B変動性予測にシミュレーションを使い,B2B電流の統計的拡がりの増加が将来技術における消費電力に大きく影響することを示した。

シソーラス用語： *PN接合 ,  電子遷移 ,  *漏れ電流 ,  CAD【計算機】 ,  可変性 ,  MOSFET ,  電流電圧特性 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： TCAD ,  *バンド間遷移 ,  リーク電流 ,  変動性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド ,  リーク電流 ,  ドーピング ,  誘起 ,  変動性 ,  証拠