Ni/Sn/Ni-Pろう付け継手の界面反応に及ぼすエレクトロマイグレーションの影響

Chen Leida; Zhou Shaoming; Huang Mingliang

文献

J-GLOBAL ID：201302272405574564 整理番号：13A1247852

Ni/Sn/Ni-Pろう付け継手の界面反応に及ぼすエレクトロマイグレーションの影響

Effect of Electromigration on Interfacial Reaction in Ni/Sn/Ni-P Solder Joint

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巻： 41 号： 10 ページ： 1785-1789 発行年： 2012年
JST資料番号： W0563A ISSN： 1002-185X CODEN： XJCGEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：中国語 (ZH)

直線型のNi/Sn/Ni-P(Au)ろう付け継手を使用して,150°Cにおける5.0×103A/cm2下での界面反応に及ぼすエレクトロマイグレーション(EM)の影響を測定した。比較のために,Ni/Sn/Ni-P(Au)配線を同じ温度で同じ期間老化した。試験結果から,電流方向がNi-P層の消費に重要な役割を果たすことがわかった。電子がNi-P側からニッケル側に流れたときには(Ni-P層は陰極であった),EMはNi-P層の消費を加速した。より多くのNi-P層が,EM時間の増加に伴い消費された。100時間と200時間のEM後に,5.88μmと13.46μmのNi-P層がそれぞれ消費された。Ni3Sn4層の代わりにNi2SnPIMC層がSn/Ni-P界面に見つかり,Ni2SnPIMC層とNi-P層との間には多孔性のNi3P層があった。電子がニッケル側からNi-P側に流れたときには(Ni-P層は陽極であった),EMの際にNi-P層の明確な消費は全く見つからず,Ni3Sn4IMC層がSn/Ni-P界面に形成された。EM時間の増加に伴いNi3Sn4IMC層の厚みは漸増し,200時間のEMで1.81μmに達した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

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ろう付

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