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J-GLOBAL ID：201302272406892578   整理番号：13A0602926

気相エピタキシーによって増大するInAs/GaAs量子ドットの二峰性配列の光電的性質

Photoelectric properties of bimodal arrays of InAs/GaAs quantum dots grown by means of gas phase epitaxy

著者 (5件)： GORSHKOV A. P. (Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  VOLKOVA N. S. (Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  KARPOVICH I. A. (Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  ZDOROVEISHEV A. V. (Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  POLOVA I. A. (Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名： Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics  (Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics)
巻： 77  号： 1  ページ： 53-55  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： A1043A  ISSN： 1062-8738  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 気相エピタキシー ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  光電 ,  性質