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J-GLOBAL ID：201302273268287486   整理番号：13A1038140

超高圧下印加による単一成分分子性結晶[Ni(ddt)₂]の金属化

著者 (5件)： CUI Hengbo (理研) ,  圓谷貴夫 (理研) ,  圓谷貴夫 (物質・材料研究機構) ,  宮崎剛 (物質・材料研究機構) ,  加藤礼三 (理研)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 93rd  号： 2  ページ： 525  発行年： 2013年03月08日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 伝導性の良い単一成分分子性結晶は単結晶の作製が非常に難しく,その反面,伝導性の悪い単一成分分子性結晶は比較的大きな結晶を得易い。そのため,絶縁性結晶への超高圧印加は,単一成分分子性金属の探索において非常に有効な手段である。今回,ダイヤモンドアンビルセル(DAC)を用いて結晶作製が比較的容易である[Ni(ddt)₂]の単一成分単結晶を作成し,15GPaまでの四端子法電気抵抗測定を行い金属化の可能性について検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *超高圧 ,  *ニッケル錯体 ,  ダイヤモンドアンビル ,  電気抵抗 ,  *圧力効果 ,  *有機伝導体 ,  単結晶 ,  結晶構造 ,  *電気抵抗率 ,  電気伝導率

分類 (2件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y)

物質索引 (1件)： 1,4-ジチイン-2,3-ジチオール

タイトルに関連する用語 (6件)： 超高圧 ,  印加 ,  分子性結晶 ,  Ni ,  DDT ,  金属化