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J-GLOBAL ID：201302274405876083   整理番号：13A0015157

600V級高電圧集積回路における新しいダブルウエル分離構造に対する電気特性研究

Electrical Characteristic Investigation on a Novel Double-Well Isolation Structure in 600-V-Class High-Voltage Integrated Circuits

著者 (6件)： SUN Weifeng (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHU Jing (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHANG Long (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  QIAN Qinsong (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  HOU Bo (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LU Shengli (Southeast Univ., Nanjing, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3477-3481  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧集積回路において高ブレークダウン電圧(BV)を達成し局部ブレークダウンを避ける,二つの細いNウエル領域をN^-ウエル領域に作ったダブルウエル分離低減表面電荷(RESURF)分離構造を提案する。ブレークダウンメカニズムを理論解析と実験で調べた。高電圧ブロッキング状態では,新しい分離構造の電荷バランスを保つようにNウエルはPウエルが空乏化するのを防ぎ,従来分離構造のBVである656Vを提案構造では760Vに高めている。新しいダブルウエル(DW)分離RESUR構造を0.5μmバイポーラ-CMOS-DMOS技術で製作し,この新コンセプトの可能性と有効性を検証した。

シソーラス用語： バイポーラ集積回路 ,  半導体 ,  MOS構造 ,  電子技術 ,  表面電位 ,  アイソレーション【IC】 ,  *高電圧 ,  *集積回路 ,  電気特性 ,  電圧 ,  *素子構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  DMOS構造 ,  RESURF ,  バイポーラIC ,  ブレークダウン電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧 ,  集積回路 ,  電気特性 ,  研究