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J-GLOBAL ID：201302274531865631   整理番号：13A1222894

SiO_x/TiO₂積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価

Resistive Switching Properties of SiO_x/TiO₂ Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes

著者 (6件)： 大田晃生 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  福嶋太紀 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  牧原克典 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  村上秀樹 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  東清一郎 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  宮崎誠一 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 87(SDM2013 44-64)  ページ： 61-66  発行年： 2013年06月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 比誘電率の大きく異なるSiO_xとTiO₂を積層したTi電極MIMダイオードをRFスパッタリングにより形成し,X線光電子分光分析(XPS)と電流-電圧(I-V)の特性からその化学構造と抵抗変化動作を評価した。XPS分析では,SiO_x/TiO₂界面の化学結合状態とTi電極堆積時に生じるSiO_x層の還元反応を調べ,SiO_x上に厚さ5nm以上のTiO₂層を追加堆積することで還元反応を抑制できることを明らかにした。また,SiO_x/TiO₂積層したMIMダイオードでは,フォーミング動作後にバイポーラ型の抵抗変化動作が生じた。SiO_x膜厚およびSiO_x/TiO₂二重積層がスイッチング特性に与える影響を評価した結果,厚さ5nmと10nmのSiO_x層を厚さ5nmのTiO₂層で挟んだ二重積層構成で,2桁の抵抗比で~1.3V以下の動作電圧でスイッチング動作を得た。(著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  誘電率 ,  *MIM構造 ,  RFスパッタリング ,  分子構造 ,  光電子分光分析 ,  電流電圧特性 ,  *化学結合 ,  酸化ケイ素 ,  酸化チタン ,  化学構造 ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *抵抗変化型メモリ ,  比誘電率

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： TiO2 ,  MIM ,  ダイオード ,  抵抗変化 ,  特性評価