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J-GLOBAL ID：201302275506444784   整理番号：13A0484525

Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作

GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for Highly Efficient DC-DC Converters

著者 (8件)： 宇治田信二 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ) ,  森田竜夫 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ) ,  梅田英和 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ) ,  木下雄介 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ) ,  田村聡之 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ) ,  按田義治 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ) ,  上田哲三 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ) ,  田中毅 (パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 381(MW2012 142-157)  ページ： 53-56  発行年： 2013年01月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 低電圧DC-DCコンバータ用途として,Siショットキーバリアダイオード(SBD)を集積化したノーマリオフGaNトランジスタを提案した。AlGaN/GaNヘテロ接合を結晶成長するSi基板内にSBDを形成し,これを同Si基板上に形成したノーマリオフ方GaN-GIT(Gate Injection Transistor)とビアホールを介して接続した。Si-SBDは,GaN-GITのダイオードモードよりも低い順方向電圧を有するため,DC-DCコンバータにおけるローサイド側トランジスタ側に流れる還流電流が原因で生じるデッドタイム損失を低減することが出来る。GaN-GITのゲート長を0.5μmと短縮し,さらにSi-SBDを集積化したデバイスを作製し,これをDC-DCコンバータに適用した。この結果12Vを1.3VにDC変換した場合,2MHzにおいて89%の高効率動作を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  集積 ,  *窒化ガリウム ,  *DC-DCコンバータ ,  回路特性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  効率 ,  長さ ,  ゲート【半導体】 ,  漂遊容量
準シソーラス用語： ノーマリーオフ ,  高効率 ,  ゲート長

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ショットキーバリアダイオード ,  集積化 ,  GaN ,  トランジスタ ,  DC-DCコンバータ ,  高効率