文献

J-GLOBAL ID：201302275576416303   整理番号：13A0633226

フレキシブルOE技術 ロール・ツー・ロール方式のUVナノインプリント技術

著者 (1件)： 萩原明彦 (東芝機械)
資料名： O plus E  (O plus E)
号： 401  ページ： 344-349  発行年： 2013年03月25日 
JST資料番号： Z0994A  ISSN： 0911-5943  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子デバイスの微細構造形成におけるナノインプリントプロセスは,基材に対して数十~数百nmの微細形状を持つモールドをプレスすることにより,フォトリソグラフィーなどを用いることなく微細構造を形成するプロセスである。東芝機械(株)は,ナノインプリントプロセスをフレキシブル基板に対し適用したロール・ツー・ロール(RTR)方式ナノインプリント装置を開発した。ここでは,1)ナノインプリントの特徴,2)RTR方式ナノインプリント装置,3)間欠塗工,張力制御,転写パターンの寸法安定性などの要素技術,4)パターン精度を左右するプロセスパラメータなどについて記述し,RTR方式ナノインプリントの応用例を示した。

シソーラス用語： *パターン形成 ,  装置 ,  *押付成形 ,  微細構造 ,  *フレキシブル基板 ,  光重合型樹脂 ,  パターン転写 ,  塗工 ,  張力制御 ,  寸法安定性 ,  パラメータ
準シソーラス用語： UV硬化樹脂 ,  システムパラメータ ,  *ナノインプリント ,  製造装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• 1)沼倉研史:「ロールton一ル要素技術と可能性」,情報機構,p.3(2008)
• 2) S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom : "Imprint of sub-25 nm vias and trenches in polymers," Appl. Phys. Lett., Vol. 67. No. 21. on. 3114-1-3 (1995)
• 3)前田龍太郎,後藤博史,廣島洋,粟津浩一,銘苅春隆高橋正春「ナノインプリントの話」,日刊工業新聞社(2005)
• 4)谷口湟:「ほじめてのナノインプリント枝術[,工業調杳会(2005)
• 5)「2007ナノインプリント技術大全(Electronic Journal別冊)」,電子ジャーナル(2007)

タイトルに関連する用語 (2件)： ロール・ツー・ロール方式 ,  UVナノインプリント