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J-GLOBAL ID：201302275588194888   整理番号：13A1558954

N₂/BCl₃/Arプラズマ中のIGZO薄膜のドライエッチングに及ぼす表面反応効果

Surface reaction effects on dry etching of IGZO thin films in N₂/BCl₃/Ar plasma

著者 (3件)： JOO Young-hee ,  WOO Jong-chang ,  KIM Chang-il
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 112  ページ： 74-79  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導結合プラズマ中のインジウムガリウム亜鉛酸化物(IGZO)薄膜のエッチング工程を実験で調べた。N₂/BCl₃/Ar混合気体比,RF出力,直流バイアス電圧,処理圧力を変えてIGZO薄膜のドライエッチング特性を調べた。最適処理条件はRF出力700W,直流バイアス電圧-150V,処理圧力15mTorrであった。最低エッチング速度はN₂/BCl₃/Ar=(3:10:10sccm)プラズマ中で38.1nm/minであった。AlとTiNに対するIGZOの選択性は0.26と0.38であった。XPS解析からIGZO薄膜上の化学反応を説明した。AFMとFESEM画像から平坦表面と垂直側壁状態に対するエッチ条件を見つけた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ドライエッチング ,  *誘導結合プラズマ ,  表面反応 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  化学反応 ,  電圧 ,  圧力効果 ,  アルゴン ,  塩化ホウ素 ,  加工速度 ,  X線光電子スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  窒素 ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  エッチング速度 ,  バイアス電圧 ,  FE-SEM

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： N2 ,  Ar ,  プラズマ ,  IGZO ,  薄膜 ,  ドライエッチング ,  表面反応