高品質炭化珪素(SiC)ホモエピタクシーのためのテトラフルオロシラン(SiF<sub>4</sub>)前駆体を用いた珪素気相核形成の除去

RANA T.; CHANDRASHEKHAR M.V.S.; SUDARSHAN T.S.

文献

J-GLOBAL ID：201302276475191587 整理番号：13A0234641

高品質炭化珪素(SiC)ホモエピタクシーのためのテトラフルオロシラン(SiF₄)前駆体を用いた珪素気相核形成の除去

Elimination of silicon gas phase nucleation using tetrafluorosilane (SiF₄) precursor for high quality thick silicon carbide (SiC) homoepitaxy

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巻： 209 号： 12 ページ： 2455-2462 発行年： 2012年12月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

次世代の高電圧(>10kV)のパワーデバイスには高品質で厚い(約100μm)の低ドープ,低欠陥密度のSiCエピタキシャル膜が不可欠である。SiF₄気相成長を用いて,SiCエピタキシャル成長時のSi気相核形成とSi寄生堆積を排除した。SiF₄の高いSi-F結合強度は初期の気体分解とSiクラスタ形成を阻止するが,改善した特定の抑制された成長条件により,高品質のエピタキシャル成長を可能にする。厚みが>100μmの4H-SiCエピタキシャル層の成長を実証した。

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半導体薄膜

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高品質炭化珪素(SiC)ホモエピタクシーのためのテトラフルオロシラン(SiF4)前駆体を用いた珪素気相核形成の除去

高品質炭化珪素(SiC)ホモエピタクシーのためのテトラフルオロシラン(SiF₄)前駆体を用いた珪素気相核形成の除去