文献

J-GLOBAL ID：201302276789392390   整理番号：13A0037474

等角写像モデルを用いたDG-MOSFETにおけるソース/ドレイン抵抗の2D解析的計算

2D Analytical Calculation of the Parasitic Source/Drain Resistances in DG-MOSFETs Using the Conformal Mapping Technique

著者 (6件)： HOLTIJ Thomas (Technische Hochsch. Mittelhessen, Giessen, DEU) ,  HOLTIJ Thomas (Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP) ,  SCHWARZ Mike (Technische Hochsch. Mittelhessen, Giessen, DEU) ,  SCHWARZ Mike (Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP) ,  KLOES Alexander (Technische Hochsch. Mittelhessen, Giessen, DEU) ,  INIGUEZ Benjamin (Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
資料名： IETE Journal of Research (Institution of Electronics and Telecommunication Engineers)  (IETE Journal of Research (Institution of Electronics and Telecommunication Engineers))
巻： 58  号： 3  ページ： 205-213  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0312A  ISSN： 0377-2063  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 等角写像 ,  モデル ,  ソース ,  ドレイン抵抗 ,  2D ,  解析 ,  計算