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J-GLOBAL ID：201302277189692249   整理番号：13A0752766

溶液プロセスZnO薄膜トランジスタの空間トラップ準位分布と安定性

Stability and spacial trap state distribution of solution processed ZnO-thin film transistors

著者 (3件)： ORTEL Marlis (School of Engineering and Sci., Jacobs Univ. Bremen, Campus Ring 1, 28719 Bremen, DEU) ,  PITTNER Steve (School of Engineering and Sci., Jacobs Univ. Bremen, Campus Ring 1, 28719 Bremen, DEU) ,  WAGNER Veit (School of Engineering and Sci., Jacobs Univ. Bremen, Campus Ring 1, 28719 Bremen, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 15  ページ： 154502-154502-6  発行年： 2013年04月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *酸化亜鉛 ,  膜厚 ,  チャネル ,  電流電圧特性 ,  *捕獲中心 ,  表面電荷 ,  貯蔵安定性 ,  キャリア密度 ,  空間分布
準シソーラス用語： スプレー熱分解

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液 ,  プロセス ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ ,  トラップ ,  安定性