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J-GLOBAL ID：201302277347813261   整理番号：13A0673782

超薄酸化イットリウム誘電層によるトップゲートグラフェン素子の電子性能修正

Modification of electronic properties of top-gated graphene devices by ultrathin yttrium-oxide dielectric layers

著者 (11件)： WANG Lin (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  CHEN Xiaolong (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  WANG Yang (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  WU Zefei (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  LI Wei (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  HAN Yu (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  ZHANG Mingwei (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  HE Yuheng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  ZHU Chao (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  FUNG Kwok Kwong (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  WANG Ning (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 5  号： 3  ページ： 1116-1120  発行年： 2013年02月07日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電層として極薄Y₂O₃を用いたトップゲート単層グラフェン(SLG)電界効果トランジスタ(FET)素子の構造の特性化と電子性能修正について報告する。変数スクリーニングにおけるBoltzmann輸送理論に基づいて,Y₂O₃被覆SLGにおいてはCoulomb散乱が主であり,Y₂O₃による短時間不純物導入は非常に少ないことが定量的に確認された。Y₂O₃はSLG FET素子のために,理想的な誘電材である。SLGトップゲートFETは極低音において~20000cm²V^-1s^-1の高い電子移動性を有しており,また超薄Y₂O₃層の大きい静電容量の故にグラフェン状態密度(DOS)を検証することを可能にした。

シソーラス用語： *炭素材 ,  素子構造 ,  層 ,  *酸化イットリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  Coulomb散乱 ,  状態密度 ,  不純物 ,  誘電材料 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： トップゲート ,  *電界効果トランジスタ ,  誘電層

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素多環化合物一般  (CF06010S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化イットリウム ,  誘電層 ,  トップゲート ,  グラフェン素子 ,  電子