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J-GLOBAL ID：201302277409109930   整理番号：13A1594381

シリコン中の30keVのC₆₀⁺の投影飛程に対するクラスタ効果

Cluster Effect on Projected Range of 30-keV C₆₀⁺ in Silicon

著者 (6件)： MORITA Y. (Kyoto Univ.) ,  NAKAJIMA K. (Kyoto Univ.) ,  SUZUKI M. (Kyoto Univ.) ,  NARUMI K. (JAEA) ,  SAITOH Y. (JAEA) ,  KIMURA K. (Kyoto Univ.)
資料名： 日本原子力研究開発機構JAEA-Review(Web)
号： 2012-046  ページ： 4-51 (WEB ONLY)  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： U0296A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *飛程 ,  *クラスタイオン ,  *フラーレンC60 ,  *ケイ素 ,  非線形効果 ,  *Rutherford後方散乱 ,  *分光分析

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  投影 ,  飛程 ,  クラスタ