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J-GLOBAL ID：201302277511515323   整理番号：13A1698285

不連続な銀膜のI-V特性に及ぼす歪みの影響とそれらのゲージ率

Effect of strain on the I-V characteristics of discontinuous silver films and determination of their gauge factor

著者 (1件)： EL-GAMAL S. (Ain Shams Univ., Physics Dep., Fac. of Education, Cairo, Egypt)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24  号： 11  ページ： 4311-4315  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その質量厚(d_m)が6,12および18Åである3種類(A,BおよびC)の不連続な銀膜をコーニング7059ガラス基板上に,熱蒸着法を用いて大気温度で蒸着した。時間による(時間エージング)空気中でのdc抵抗(R_dc)の増加を,短期間安定性が達成されるまで監視した。不連続な銀膜のI-V特性に及ぼす歪みの影響とそれらのゲージ率(ν)を調査し,1)線形性からの逸脱が高電圧(>60V)で観察され,特定の電圧でd_mが増加するにつれて電流が増加する,2)引張歪み(ε)が増加するにつれてR_dcが増加し,εへの抵抗の分数変化の依存性はヒステリススが無くて線形で,3)d_mが増加するにつれてνは減少し,これらの膜に対するνの高い値はそれらを微小歪みセンサの候補にする,ことが分かった。この調査のデータを,熱的に活性化されたトンネル現象は不連続な銀膜における電気電導の原因となる機構であるということを考慮して論じた。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電流電圧特性 ,  *銀 ,  *金属薄膜 ,  *不連続性 ,  *基板 ,  電気装置部品 ,  真空蒸着 ,  *効果 ,  引張変形 ,  *歪 ,  センサ ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 不連続金属薄膜 ,  ガラス基板 ,  歪効果 ,  微小歪 ,  歪センサ

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 銀 ,  歪み ,  ゲージ率