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J-GLOBAL ID：201302277660717397   整理番号：13A0484527

GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響

Effects of Deep Trapping States at High Temperatures on Transient Performances of AlGaN/GaN HFETs

著者 (4件)： 田中健一郎 (パナソニック 半導体デバイス開発セ) ,  石田昌宏 (パナソニック 半導体デバイス開発セ) ,  上田哲三 (パナソニック 半導体デバイス開発セ) ,  田中毅 (パナソニック 半導体デバイス開発セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 381(MW2012 142-157)  ページ： 63-68  発行年： 2013年01月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについて詳細に調べた。デバイスをオフからオンへスイッチングした直後のオン抵抗の測定結果によると,温度上昇に伴い電流コラプスが増大することがわかった。この結果は,温度が上昇すると電子の放出過程が促進され,電流コラプスが抑制されるという当初の予想とは逆の結果である。我々はこの原因について詳細に調べ,温度の上昇により電子の放出過程が促進されるだけでなく,電子の捕獲過程が同時に促進されることを見出した。また,電子の捕獲過程においてエネルギー障壁が存在することを明らかにし,その大きさを0.17±0.04eVと決定した。このエネルギー障壁が生じる原因については,配位座標モデルにより説明し,電子と格子の強い相互作用により生じていると結論した。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *スイッチング ,  *深い準位 ,  回路特性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *ヘテロ接合 ,  座標 ,  オン抵抗 ,  電流電圧特性 ,  *HEMT ,  電子放出 ,  電子捕獲
準シソーラス用語： ノーマリーオフ ,  HFET ,  配位座標 ,  電流コラプス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaNパワーデバイス ,  スイッチング特性 ,  深い準位