SiO<sub>2</sub>及び/またはSiN<sub>x</sub>パッシベーション層の自己整合コプレーナアモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの温度安定性に対する効果

KANG Dong Han; KANG In; KANG In; RYU Sang Hyun; AHN Young Sik; JANG Jin

文献

J-GLOBAL ID：201302277729784830 整理番号：13A1719263

SiO₂及び/またはSiN_xパッシベーション層の自己整合コプレーナアモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの温度安定性に対する効果

Effect of SiO₂ and/or SiN_x Passivation Layer on Thermal Stability of Self-Aligned Coplanar Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors

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資料名：
巻： 9 号： 7-9 ページ： 699-703 発行年： 2013年07月
JST資料番号： W1444A ISSN： 1551-319X CODEN： IJDTAL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

近年,アモルファスIn-Ga-Zn酸化物(a-IGZO)TFTが,高い電界効果移動度,低温処理可能等のために,能動マトリクスディスプレイのバックプレーンとして注目されている。しかし,これまで能動マトリクスディスプレイのためのボトム構造に限って開発されて来たが,この構造は寄生容量とチャネル長の故に高速高精度ディスプレイには適していない。これに対して自己整合コプレーナ構造のa-IGZO TFTは少寄生容量と短チャネル長を持つ。本論文では,この構造のa-IGZO TFTの性能に対するパッシベーション材料とポストアニーリングの影響について研究した。a-IGZO層はプラズマ活性化化学蒸着(PECVD)によりSiO₂またはSiN_xで保護される。SiN_x保護a-IGZOTFTの電界効果移動度は250°Cにおけるポストアニーリング時間を延長しても殆ど変わらないが,SiO₂保護TFTの移動度はアニーリング時間を増加すると著しく劣化する。SiN_xの下のa-IGZOの抵抗は十分低く,良好な導電路であることが分かった。

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トランジスタ , 表示機器

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SiO2及び/またはSiNxパッシベーション層の自己整合コプレーナアモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの温度安定性に対する効果

SiO₂及び/またはSiN_xパッシベーション層の自己整合コプレーナアモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの温度安定性に対する効果