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J-GLOBAL ID:201302278186451506   整理番号:13A0994113

InP/InGaAsP導波路のスラントエッチングを用いた垂直光カプラの開発

Development of a vertical optical coupler using a slanted etching of InP/InGaAsP waveguide
著者 (7件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 20130116-20130116 (J-STAGE)  発行年: 2013年 
JST資料番号: U0039A  ISSN: 1349-2543  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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スラントエッチミラーを用いた光ファイバとInPベース導波路間の垂直結合のための簡単で効率的光カプラを提示した。エッチミラーの角度は,InP/InGaAsPのRIEの間に基板の下に挿入されたアルミニウム治具を用いて制御した。オフチップカプラを同時にたった1回のエッチングプロセス高メサ導波路で作成した。テーパー単一モードファイバ間の結合損失は,1530-1570nmの波長内にて7.3dBが得られた。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学 
引用文献 (7件):

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