SI Mengwei について
School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ... について
GU Jiangjiang J. について
School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ... について
WANG Xinwei について
Dep. of Chemistry and Chemical Biology, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA について
SHAO Jiayi について
Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA について
LI Xuefei について
School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ... について
MANFRA Michael J. について
School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ... について
GORDON Roy G. について
Dep. of Chemistry and Chemical Biology, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA について
YE Peide D. について
School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ... について
Applied Physics Letters について
MOSFET について
ヒ化ガリウムインジウム について
ナノワイヤ について
化合物半導体 について
焼なまし について
界面 について
不活性化 について
長さ について
混合気体 について
水素 について
窒素 について
アルミナ について
ゲート【半導体】 について
キャリア捕獲 について
短チャネル効果 について
厚み について
GAA MOSFET について
チャネル長 について
フォーミングガスアニール について
界面トラップ密度 について
ナノワイヤMOSFET について
トランジスタ について
InGaAs について
ナノワイヤ について
金属酸化物半導体 について
電界効果トランジスタ について