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J-GLOBAL ID：201302278336345548   整理番号：13A1923873

緑色間隙スペクトル領域におけるc面サファイア基板上のInGaN発光ダイオード

InGaN Light-Emitting Diodes on c-Face Sapphire Substrates in Green Gap Spectral Range

著者 (4件)： SAITO Shinji (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HASHIMOTO Rei (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HWANG Jongil (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NUNOUE Shinya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 11  ページ： 111004.4-111004.4  発行年： 2013年11月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 「緑色間隙」領域における高効率InGaN発光ダイオード(LED)をc面(0001)サファイア基板上に作製した。活性層のバンド調整と成長条件の最適化により,光学的性質が向上した。注入電流20mAの576nm黄色LEDに対して4.7mWと13.3%,559nm黄緑LEDに対して11.0mWと24.7%の出力パワーと外部量子効率をそれぞれ達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  基板 ,  レーザ出力 ,  *量子効率 ,  エレクトロルミネセンス ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *外部量子効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 緑色 ,  間隙 ,  スペクトル ,  サファイア基板 ,  InGaN ,  発光ダイオード