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J-GLOBAL ID：201302278581529999   整理番号：13A0893262

溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成

Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure

著者 (3件)： MATSUMURA Ryo (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 18(OME2013 1-22)  ページ： 17-23  発行年： 2013年04月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向に組成傾斜を有するSiGe-on-Insulator構造(SGOI構造)を実現することで,横方向にEg勾配を持つ新デバイスへの応用や,様々な格子定数を有する材料群をSi基板上に混載する際の成長テンプレートへの応用が期待できる。我々は,SiGe偏析成長法により横方向に異なる格子定数を有するSi濃度傾斜型SGOIストライプ構造を形成する手法を検討した。広範囲のストライプ長(L:10-500μm)及び冷却速度(CR:10-19°C/sec)の条件でSiGeの溶融成長を試みたところ,冷却速度が遅い(10°C/sec)条件では,SiGe偏析現象はScheil式によって表される横方向組成分布を示した。この領域を用いることで,SiGe横方向組成分布の精密な制御が可能となる。一方,冷却速度が速く,ストライプが長い条件では,SiGeの組成分布はScheil式から乖離することが判明した。この現象を詳細に解析することで,SiGe偏析現象のモデル化に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *SOI構造 ,  *融液成長 ,  *ケイ素 ,  *偏析 ,  横方向 ,  傾斜機能材料 ,  格子定数 ,  濃度勾配 ,  素子構造 ,  冷却速度 ,  化学組成 ,  電子回折 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： SiGe ,  組成傾斜 ,  濃度傾斜 ,  ストライプ構造 ,  EBSD

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶融法 ,  横方向 ,  組成傾斜 ,  Ge ,  ヘテロ構造