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J-GLOBAL ID：201302278697110669   整理番号：13A0408345

ナノポーラスシェルによるナノポーラスシリコンナノピラーとシリコンナノピラーの秩序配列

Ordered arrays of nanoporous silicon nanopillars and silicon nanopillars with nanoporous shells

著者 (5件)： WANG Dong (Ilmenau Univ. of Technol., Materials for Electronics, Inst. of Materials Engineering and Inst. of Micro- and ...) ,  JI Ran (SUESS MicroTec Lithography GmbH, Schleissheimer Str. 90, 85748, Garching, DEU) ,  DU Song (Ilmenau Univ. of Technol., Materials for Electronics, Inst. of Materials Engineering and Inst. of Micro- and ...) ,  ALBRECHT Arne (Ilmenau Univ. of Technol., Center for Micro- and Nanotechnologies MacroNano, Gustav-Kirchhoff-Str. 7, 98693, Ilmenau ...) ,  SCHAAF Peter (Ilmenau Univ. of Technol., Materials for Electronics, Inst. of Materials Engineering and Inst. of Micro- and ...)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 1-9  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノポーラスベース有りと無しのナノポーラスSiナノピラーの秩序配列と,ナノポーラスシェルによるSiナノピラーの秩序配列の作製が紹介された。加工工程は,基板コンフォーマルインプリントリソグラフィと金属支援化学エッチングの組み合わせを使用する。金属支援化学エッチングは異なる[HF]/[H₂O₂+HF]比を持つ溶液中で行われる。孔の形成と研磨(ナノピラーの垂直エッチングでマーク)双方が,金属支援化学エッチング中に高濃度ドープ及び低濃度ドープされたSiで観察される。孔の形成は高濃度ドープ中でより活性で有り,研磨から孔形成までの遷移は低濃度のSi中でより明白である。エッチング率は高濃度ドープSiで明らかに高い。酸化は,小さな[HF]/[H₂O₂+HF]比を持つ溶液中のエッチングによりピラーの側壁で発生し,ピラーの薄化,曲げ,及び接合を引き起こす。Copyright 2013 Wang et al.; licensee Springer. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多孔性 ,  *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  シェル ,  規則化 ,  *配列 ,  *リソグラフィー ,  *エッチング ,  ドーピング ,  フッ化水素 ,  研磨 ,  細孔
準シソーラス用語： *ナノ多孔性 ,  ナノ柱 ,  規則的配列 ,  インプリントリソグラフィー ,  化学エッチング ,  金属支援化学エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  ナノピラー ,  秩序配列