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J-GLOBAL ID：201302278824128530   整理番号：13A1556521

SiO₂/GeO₂ゲート積層にAlおよびHfを導入することによる金属ソース/ドレインGe pチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ中の低い電場における移動度の劇的な増大

Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO₂/GeO₂ gate stack

著者 (4件)： YAMAMOTO Keisuke (Art, Sci. and Technol. Center for Cooperative Res., Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  SADA Takahiro (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  WANG Dong (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  NAKASHIMA Hiroshi (Art, Sci. and Technol. Center for Cooperative Res., Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 12  ページ： 122106-122106-4  発行年： 2013年09月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 依存性 ,  キャリア移動度 ,  正孔 ,  ゲート【半導体】 ,  層 ,  酸化ケイ素 ,  酸化ゲルマニウム ,  *ゲルマニウム ,  アルミニウム ,  ハフニウム ,  添加物効果 ,  *MOSFET ,  メタライゼーション ,  キャリア捕獲 ,  界面 ,  電荷 ,  Coulomb散乱
準シソーラス用語： 固定電荷 ,  積層 ,  電場依存性

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (12件)： SiO2 ,  ゲート ,  Al ,  HF ,  ソース ,  ドレイン ,  Ge ,  チャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  電場 ,  移動度