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J-GLOBAL ID:201302278846891415   整理番号:13A1816838

VIII型包接化合物Ba8Ga16Sn30におけるラットリングフォノンと電荷キャリアの光学伝導率スペクトル

Optical conductivity spectra of rattling phonons and charge carriers in the type-VIII clathrate Ba8Ga16Sn30
著者 (12件):
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巻: 88  号: 10  ページ: 104308.1-104308.9  発行年: 2013年09月 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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n型のp型のVIII型包接化合物構造をしたBa8Ga16Sn30(α-BGS)の光学伝導率スペクトルをテラヘルツタイムドメイン(0.2.5THz)スペクトロメータで測定した。電荷キャリアから生じる連続スペクトルは分散性であり,温度とキャリア型に依存する。電荷キャリアの多重散乱を考慮したDrude-Smithモデルで実験データを再現できた。n型キャリアの緩和速度はp型キャリアよりも鋭く低下したことから,p型よりもn型の方が電子-フォノン相互作用が強いと推測した。Ba2+イオンのほぼ中心上振動のラットリングフォノンと同定した局在赤外活性モードが1.3,1.7THzに観測されたが,このモードは温度上昇と共にソフト化し,著しく幅広くなった。n型材料のソフト化はp型材料のものより約30%小さかった。線幅広がりはキャリア型に依存しない。ラットリングフォノンのキャリアとの相互作用によってゲストイオンの非調和ポテンシャルが修正されるとしてソフト化の違いを論じた。
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分類 (2件):
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結晶中のフォノン・格子振動  ,  光物性一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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