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J-GLOBAL ID：201302279514102545   整理番号：13A1727478

RF電力LDMOSトランジスタの温度特性へのドリフト領域抵抗の影響

Effect of Drift Region Resistance on Temperature Characteristics of RF Power LDMOS Transistors

著者 (8件)： CHEN Kun-Ming (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Bo-Yuan (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Hsueh-Wei (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CHIU Chia-Sung (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Guo-Wei (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Guo-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Chia-Hao (National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN) ,  HU Hsin-Hui (National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
資料名： Digest of Papers. IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium  (Digest of Papers. IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium)
巻： 2013  ページ： 443-446  発行年： 2013年 
JST資料番号： W1263A  ISSN： 1529-2517  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF電力 ,  LDMOS ,  トランジスタ ,  温度特性 ,  ドリフト