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J-GLOBAL ID:201302279724382516   整理番号:13A0228886

回転式マグネトロンスパッタリングによる高い成膜速度でスパッタしたTiO2:Nbの最近の進展

Recent Developments of TiO2:Nb Sputtered with High Deposition Rates from a Rotatable Magnetron System
著者 (4件):
資料名:
巻: 55th  ページ: 157-161  発行年: 2012年 
JST資料番号: E0063B  ISSN: 0737-5921  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ニオブドープチタニア(TiO2:Nb)は太陽電池やディスプレイの透明導電膜の材料として有望である。高い成膜速度を持つスパッタリング装置により大面積基板上に成膜したTiO2:Nb薄膜の特性を調べた。パイロットスケールのインライン装置(ターゲットの長さ780mm)を用いて成膜実験を行い,成膜条件と膜の特性を調べた。Ar/O2雰囲気の異なる酸素比率下で成長した膜厚100nmの薄膜を真空中450°Cで焼鈍し,9.4×10-4Ωcmの低い電気抵抗率,82%の可視光域透過率,及び約2.5の屈折率(λ=550nm)を得た。XANESを用いて,成膜のまま及び焼鈍したTiO2:Nb薄膜の不規則構造相を同定した。
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  導体材料 

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