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J-GLOBAL ID：201302279958182944   整理番号：13A0407371

動的銅表面上のステップバンチングによる異方性グラフェン成長

Anisotropic graphene growth accompanied by step bunching on a dynamic copper surface

著者 (3件)： HAYASHI Kenjiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SATO Shintaro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YOKOYAMA Naoki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 2  ページ： 025603,1-7  発行年： 2013年01月18日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧力下での化学蒸着による銅膜上の特異なグラフェン(GR)成長とその機構を調べた。ある表面処理による銅表面にはステップ構造ができるが,これがGR島の核形成サイトとして働き,以後のGR成長に影響することが分かった。GR成長と共に階段構造の運動に基づくステップバンチングが起こり,表面の形態変化が生じた。最終的にはアレイ化GRリボンが形成した。化学蒸着過程中には表面で銅原子の蒸発・拡散が起こるが,ステップ端に沿って優先的に形成されたGR島はこれを阻止する遮蔽効果をもたらした。こうしたGR形成に基づく銅の不均一な蒸発と拡散が,ステップバンチングを通じて表面の形態を変化させる。その結果,選択的で異方性のGR成長が起こり,最終的にはGR島が接続してGRリボンが形成される。設計表面構造を用いたこのような選択成長はGRの構造制御の可能性を与え,GRナノ構造作製の新しい道を開く。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *LPCVD ,  表面処理 ,  *銅 ,  基板 ,  *表面ステップ ,  核形成 ,  薄膜成長 ,  島状構造 ,  リボン ,  選択成長 ,  表面拡散 ,  ナノ構造 ,  *グラフェン ,  *ステップバンチング

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 銅 ,  ステップバンチング ,  異方性 ,  グラフェン ,  成長