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J-GLOBAL ID：201302281532336078   整理番号：13A1756547

静電吸着によるシリコン表面上の微粒子除去

Removal of the Particles on a Silicon Surface using Electrostatic Force

著者 (1件)： 高橋主人 (大島商船高等専門学校電子機械工学科)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 56  号： 7  ページ： 273-276 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体製造における異物サイズは年々微細化し,2012年では45nm以上の粒子が0.19個/cm²以下になっている。これらの微粒子を超音波洗浄ですべて除去するのは困難で,種々の洗浄法が検討されている。ここでは静電気を利用した微粒子除去技術を検討した。この方法では微粒子の付着した部品表面をフィルムで被覆し高電圧を印加し静電気力によりフィルムに微粒子を付着させて回収する方法である。基礎的な特性について評価した。シリコンウエハにガラス球を付着させた試料を用いた。誘電体フィルム(軟質ポリ塩化ビニルと低密度ポリエチレン)で被覆し,高電圧を印加した。ガラス球0.105-0.125mmではPEフィルムを用いて約500Vの電圧で90%以上除去できた。しかしガラス球0.04-0.09mmでは種々の大きさのガラスの混在により除去率が低かった。この原因を考察した。除去試験を繰り返すと除去率は向上した。

シソーラス用語： *吸着 ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  *微粒子 ,  *除去 ,  ガラス ,  球 ,  高分子膜 ,  低密度ポリエチレン ,  ポリ塩化ビニル ,  *静電吸着
準シソーラス用語： 高分子フィルム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• 1) ITRS 2012 Edition, Table FEP10.
• 2) W. F. D. Geest: US Patent, 3,536,528 (1970).
• 3) D. W. Cooper, H. L. Wolfe, J. T. C. Yeh and R. J. Miller: Aerosol Sci. Technol., 13 (1990) 116.
• 4) D. W. Cooper, H. L. Wolfe and J. T. C. Yeh: US Patent, 4,744,833 (1988).
• 5) T. Oguchi: Toraiborojisuto, 43 (1998) 271.

タイトルに関連する用語 (3件)： 静電吸着 ,  シリコン ,  微粒子除去