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J-GLOBAL ID：201302281739761496   整理番号：13A1749111

300mmでの誘導自己組織化インテグレーションと製造可能性の進歩

Advances in Directed Self Assembly Integration and Manufacturability at 300mm

著者 (14件)： RATHSACK Benjamen (Tokyo Electron America, Inc., TX, USA) ,  SOMERVELL Mark (Tokyo Electron America, Inc., TX, USA) ,  MURAMATSU Makoto (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  TANOUCHI Keiji (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  KITANO Takahiro (Tokyo Electron Kyushu Ltd., Kumamoto, JPN) ,  NISHIMURA Eiichi (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Yamanashi) ,  YATSUDA Koichi (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAGAHARA Seiji (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  IWAKI Hiroyuki (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  AKAI Keiji (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  OZAWA Mariko (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  NEGREIRA Ainhoa Romo (Tokyo Electron Ltd., Leuven, BEL) ,  TAHARA Shigeru (Tokyo Electron Ltd., Leuven, BEL) ,  NAFUS Kathleen (Tokyo Electron Ltd., Leuven, BEL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8682  ページ： 86820K.1-86820K.11  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導自己組織化(DSA)はライン/スペースおよびホールパターンの両者に対してスケーリングを拡張するために有望な技術である。本報では,ホールおよびライン/スペースDSAプロセス統合の両者に対する最新のプロセスソルーションを報告した。ライン/スペースDSAプロセス統合をスループットの改良により促進し,大きなプロセス許容度を維持した。デバイス関連エッチスタックへのDSAパターンのエッチ転写における改良により,高解像度微細FET構造を示した。将来の解像度伸展への方向として,高chiDSAライン/スペースパターンが8nm解像度以下になることを示した。

シソーラス用語： 可能性 ,  *自己組織化 ,  *パターン形成 ,  *半導体プロセス ,  半導体チップ ,  スケーリング【計数】 ,  ポリスチレン ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ジブロック共重合体 ,  精密化
準シソーラス用語： 製造可能性 ,  微細化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘導 ,  自己組織化 ,  インテグレーション ,  製造可能性