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J-GLOBAL ID：201302282430804383   整理番号：13A1801004

SrTiO₃(110)基板上に成長させたBaTiO₃薄膜における特異な構造

Unconventional Structure in BaTiO₃ Thin Film Grown on (110) SiTiO₃ Substrate

著者 (4件)： 清水荘雄 (東京工大 応用セラミックス研) ,  谷口博基 (東京工大 応用セラミックス研) ,  谷山智康 (東京工大 応用セラミックス研) ,  伊藤満 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
巻： 55  号： 5  ページ： 290-295  発行年： 2013年10月31日 
JST資料番号： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SrTiO₃(STO)のような強い面内異方性をもつ基板上で,基板が示す歪の緩和の異方性がBaTiO₃(BTO)薄膜の成長におよぼす影響,およびこの影響を受けるBTOの結晶構造と分域構造の特性を調べた。SrTiO₃(110)面上で一軸性歪を受けたBTO薄膜の擬正方晶構造をX線回折逆格子写像法を併用して詳しく観測して分析した。擬正方晶構造がBTO膜の分域構造におよぼす影響が明瞭に観測された。次に一軸性応力がBTO薄膜の強誘電相転移におよぼす効果も分析し,その大きな影響を確認した。擬正方晶構造のBTOは,通常の強誘電体で観測されるストライプ構造の90°分域構造とは異なる不規則な弾性分域構造を持つことが分かった。

シソーラス用語： チタン酸ストロンチウム ,  *チタン酸バリウム ,  基板 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  *誘電転移 ,  強誘電性 ,  *X線回折 ,  X線構造解析 ,  結晶構造
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  強誘電薄膜 ,  強誘電相転移

分類 (3件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (13件)：

• 1)J. -P. Locquet, J. Perret, J. Fompeyrine, E. Machler, J. W. Seo and G. Van Tendeloo: Nature 394, 453 (1998).
• 2)D. Fuchs, C. Pinta, T. Schwarz, P. Schweiss, P. Nagel, S. Schuppler, R. Schneider, M. Merz, G. Roth and H. V. Löhneysen: Phys. Rev. B 75, 144402 (2007).
• 3)Y. Wakabayashi, D. Bizen, H. Nakao, Y. Murakami, M. Nakamura, Y. Ogimoto, K. Miyano and H. Sawa: Phys. Rev. Lett. 96,17202 (2006).
• 4)W. J. Merz: Phys. Rev. 76, 1221 (1949).
• 5)N. A. Pertsev, A. G. Zembilgotov and A. K. Tagantsev: Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).

タイトルに関連する用語 (3件)： 成長 ,  BaTiO3 ,  薄膜