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J-GLOBAL ID：201302282643345838   整理番号：13A0782334

パターン化r平面サファイア基板上に横方向被覆成長させたa配向GaNドメインの面内極性の自発的逆転

Spontaneous inversion of in-plane polarity of a-oriented GaN domains laterally overgrown on patterned r-plane sapphire substrates

著者 (6件)： SHIN Donggyu (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sanghwa (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  JUE Miyeon (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Wooyoung (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  OH Soyoung (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Chinkyo (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Applied Crystallography  (Journal of Applied Crystallography)
巻： 46  号： 2  ページ： 443-447  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： D0631A  ISSN： 0021-8898  CODEN： JACGAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： パターン化 ,  サファイア基板 ,  横方向被覆成長 ,  配向 ,  GaN ,  ドメイン ,  極性 ,  逆転