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J-GLOBAL ID：201302282998470544   整理番号：13A1204958

4H-SiC MOSFETの1/f雑音の温度依存性と照射後アニーリング応答

Temperature Dependence and Postirradiation Annealing Response of the 1/f Noise of 4H-SiC MOSFETs

著者 (11件)： ZHANG Cher Xuan (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SHEN Xiao (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  ZHANG En Xia (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  FLEETWOOD Daniel M. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SCHRIMPF Ronald D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  FRANCIS Sarah Ashley (Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA) ,  ROY Tania (Geogia Inst. Technol., GA, USA) ,  DHAR Sarit (Cree, Inc., NC, USA) ,  DHAR Sarit (Auburn Univ., AL, USA) ,  RYU Sei-Hyung (Cree, Inc., NC, USA) ,  PANTELIDES Sokrates T. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 7  ページ： 2361-2367  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC MOSFETの低周波雑音の温度依存性を85~10Kの温度範囲で調べた。温度を上げると1/f雑音は著しく減少した。この雑音減少は温度上昇時の界面トラップ密度減少によるものである。1/f雑音をX線照射と照射後アニーリングで測定した。1/f雑音は照射後そして高温アニールした後にも変化が無かった。この結果は,4H-SiC MOSFETの1/f雑音が<360Kではチャネルキャリアと遅い界面トラップの相互作用,360K以上ではチャネルキャリアと境界トラップとの相互作用に支配されているためである。この結果は,界面トラップが遅いトラップでは無くて速いトラップであって,界面トラップ密度が4H-SiC MOSFETよりもはるかに小さいSi/SiO₂ MOSFETとは大きく異なっている。

シソーラス用語： 電圧 ,  熱安定性 ,  *MOSFET ,  信頼性 ,  炭化ケイ素 ,  *1/f雑音 ,  *温度依存性 ,  キャリア捕獲 ,  X線照射 ,  焼なまし ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： BTI ,  アニーリング ,  界面トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSFET ,  雑音 ,  温度依存性 ,  アニーリング ,  応答