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J-GLOBAL ID：201302283390218954   整理番号：13A0989569

高温でチャネルドーピング濃度を変化させた3D-FinFET構造における衝突イオン化に関するシノプシスTCADを用いた研究

Study of Impact Ionization in the 3D FinFET Structure by Varying Channel Doping Concentration at Higher Temperature Using Synopsys TCAD

著者 (6件)： BUKHTIAR A. (Univ. Punjab, Lahore, PAK) ,  MUSTAFA M. A. (Univ. Punjab, Lahore, PAK) ,  UMER M. (Univ. Punjab, Lahore, PAK) ,  KHALID M. (Univ. Punjab, Lahore, PAK) ,  RIAZ S. (Univ. Punjab, Lahore, PAK) ,  NASEEM S. (Univ. Punjab, Lahore, PAK)
資料名： Advanced Science Letters  (Advanced Science Letters)
巻： 19  号： 3  ページ： 753-759  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W2378A  ISSN： 1936-6612  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D-FinFET構造の電気的振る舞い,特に,短チャネル効果(SCE)と寄生効果の影響について,計算機シミュレーションにより調べた。温度(400~700K)およびfin本体/チャネルドーピング濃度(1×10¹⁵~7×10¹⁸cm^-3)の二つの重要なパラメータを変化させて,三重ゲートもしくは全周ゲート(GAA)を持つFD型SOI FinFETデバイスに対して,シノプシスTCADを用いたシミュレーションを行なった。これらの二つのパラメータに対して閾電圧(V_th)と衝突イオン化が敏感であることがわかった。動作温度が高温になると寄生効果は最小化できた。閾電圧はチャネル/finのドーピング濃度に依存した。低ドーピング濃度では,高温動作における閾電圧は一定になった。逆に,ドーピング濃度が高い場合には,閾電圧は高温において敏感で変動しやすくなった。これらのシミュレーション結果から,蓄積モードおよび反転モードのどちらのモードにおいても,閾電圧がドーピング濃度に敏感であることがわかった。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  三次元 ,  *衝突イオン化 ,  CAD【計算機】 ,  半導体プロセス ,  *短チャネル効果 ,  計算機シミュレーション ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  濃度依存性 ,  電圧 ,  SOI構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： FD型SOI ,  *FinFET ,  TCAD ,  寄生効果 ,  閾電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： チャネル ,  ドーピング ,  3D ,  FinFET ,  衝突イオン化 ,  TCAD ,  研究