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J-GLOBAL ID：201302283479252455   整理番号：13A1632070

薄い窒化アルミニウム膜における固有応力勾配の変化

Variation of the intrinsic stress gradient in thin aluminum nitride films

著者 (3件)： MEHNER H (Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU) ,  LEOPOLD S (Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU) ,  HOFFMANN M (Technische Univ. Ilmenau, Ilmenau, DEU)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 23  号： 9  ページ： 095030,1-9  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)膜は多くのMEMSデバイスで使われている。AlN膜を反応性スパッタ蒸着により製作した場合,大きな固有応力勾配を生じ,多くの場合問題となる。本稿では,薄いAlN膜に生じる固有応力勾配に対する蒸着条件の影響を調べた。実験は反応性DCパルススパッタプロセスについて行った。応力勾配は一方を固定したカンチレバー試験構造を使って調べた。その結果,プラズマ中で誘起されるプロセスパワーとスパッタガスであるアルゴンと窒素のガス流量比が蒸着されたAlN膜の応力勾配を支配する二つの重要なパラメータであることが分かった。この結果を使って応力勾配を制御し,負の応力勾配と正の応力勾配を持つAlN膜を製作することができた。

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *勾配 ,  応力 ,  MEMS ,  反応性スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  片持板 ,  アルゴン ,  窒素 ,  流量 ,  比率
準シソーラス用語： MEMSデバイス ,  ガス流量 ,  カンチレバー板 ,  *応力勾配 ,  流量比

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化 ,  アルミニウム膜 ,  固有 ,  応力勾配