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J-GLOBAL ID：201302283497566866   整理番号：13A1824686

バルク-酸化膜トラップモデルの比較:集中対分布回路

Comparison of Bulk-Oxide Trap Models: Lumped Versus Distributed Circuit

著者 (4件)： CHEN Han-Ping (Univ. California, CA, USA) ,  AHN Jaesoo (Stanford Univ., CA, USA) ,  MCINTYRE Paul C. (Stanford Univ., CA, USA) ,  TAUR Yuan (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 11  ページ： 3920-3924  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs MOSキャパシタでは多周波容量-電圧(C-V)とコンダクタンス-電圧(G-V)データで分散が見られ,その周波数依存性はバルク-酸化膜トラップに出入りするトンネリングに一致する。バルク-酸化膜モデルには集中回路モデルと分散回路モデルの二つがある。InGaAs MOS分散データとの整合性で両者を比較した。集中回路モデルは容量-log(周波数)プロットで明らかな曲線を作り,これはMOSデータと一致しない。分布回路モデルは単一,均一酸化膜トラップ密度の容量およびコンダクタンス分散に合致出来るが集中モデルでは出来ない。境界トラップが指数関数的に減衰する集中回路モデルは分散データから離れている。分布モデルは単一と均一トラップ密度でC(ω)とG(ω)の両方に同時にフィットすることが出来る。

シソーラス用語： MOS構造 ,  トンネル効果 ,  電子 ,  捕獲 ,  捕獲中心 ,  薄膜コンデンサ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  容量電圧特性 ,  分散【dispersion】 ,  周波数依存性 ,  比較
準シソーラス用語： InGaAs ,  *MOSキャパシタ ,  トラップ【固体】 ,  トンネリング ,  *モデル比較

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  酸化膜 ,  トラップ ,  モデル ,  分布