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J-GLOBAL ID：201302283688108809   整理番号：13A0720358

PLS-160dBを実現した画素内保持容量内蔵のローリングシャッタ歪なし3次元積層イメージセンサ

A Rolling-Shutter Distortion-Free 3D Stacked Image Sensor with -160dB Parasitic Light Sensitivity In-Pixel Storage Node

著者 (11件)： 青木潤 (オリンパス) ,  竹本良章 (オリンパス) ,  小林賢司 (オリンパス) ,  坂口直史 (オリンパス) ,  月村光宏 (オリンパス) ,  高澤直裕 (オリンパス) ,  加藤秀樹 (オリンパス) ,  近藤亨 (オリンパス) ,  齊藤晴久 (オリンパス) ,  五味祐一 (オリンパス) ,  只木芳隆 (オリンパス)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 37  号： 19(IST2013 6-14)  ページ： 27-30  発行年： 2013年03月15日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： PSL(parasitic light sensitivity)-160dBの画素内保持容量を有したローリングシャッタ歪なしイメージセンサを,裏面照射型のフォトダイオードアレイを形成した基板と画素内ストレージアレイを形成した基板を3次元積層することで実現した。このイメージセンサは,8.6μmピッチの内部接続電極を有し,内部接続電極の歩留りは99.9%以上であることを確認している。(著者抄録)

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *半導体集積回路 ,  *画素 ,  *シャッタ ,  電子技術 ,  積層構造 ,  保持容量 ,  フォトダイオード ,  アレイ ,  プリント基板 ,  歩留り ,  電極
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  *CMOS集積回路 ,  ローリングシャッタ ,  三次元積層化技術 ,  ストレージアレイ ,  *グローバルシャッタ

分類 (4件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

引用文献 (4件)：

• MEYNANTS, G. Backside illuminated global shutter CMOS image sensors. IEEE Int. Image Sensor Workshop, June 2011. 2011, 305-308
• SAKAKIBARA, M. An 83dB-Dynamic-Range Single-Exposure Global-Shutter CMOS Image Sensor with In-Pixel Dual Storage. ISSCC Dig. Tech. Papers, Feb. 2012. 2012, 380-382
• DE MUNCH, K. High performance Hybrid and Monolithic Backside Thinned CMOS Imagers realized using a new integration process. Proc. of the IEEE International Electron Devices Meeting, Dec. 2006. 2006, 132-142
• DE MUNCH, K. Backside Illuminated Hybrid FPA achieving Low Cross-Talk combined with High QE. IEEE Int. Image Sensor Workshop, June 2011. 2011, 146-148

タイトルに関連する用語 (4件)： 画素 ,  保持容量 ,  3次元 ,  イメージセンサ