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J-GLOBAL ID：201302284561966829   整理番号：13A0892920

液晶性有機半導体/電極界面の電子構造 IV:液晶状態でのイオン化エネルギーの測定

Electronic Structure of Interface between Liquid-Crystalline Organic Semiconductor and Electrode: IV: Ionization Energy in Liquid-Crystalline Phase

著者 (4件)： 谷忠昭 (日本写真学会) ,  飯野裕明 (東京工大 像情報工研) ,  大野玲 (東京工大 像情報工研) ,  半那純一 (東京工大 像情報工研)
資料名： 日本写真学会誌  (日本写真学会会誌)
巻： 76  号： 2  ページ： 119-124  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0165A  ISSN： 0369-5662  CODEN： NSGKAP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大気中光電子分光を用いて測定した棒状液晶性有機半導体2-(4’-Octylphenyl)-6-dodecyloxynaphthalene(8-PNP-O12)の室温結晶相,スメクティックBおよびA(SmBおよびSmA)相および液体等方相の薄膜のイオン化エネルギーはそれぞれ5.63eV,5.72eV,5.72eVおよび5.97eVであった。イオン化エネルギーは膜の誘電率とともに小さくなった。この結果は,薄膜中の分子のイオン化エネルギーが真空中の分子に比べて小さく,その相違はイオン化で膜中に残される正電荷を安定化する周囲の分極に由来することを示している。さらに,結晶,SmBおよびSmA相のイオン化エネルギーは液晶構造の分子配列のため,誘電率が同じで分子配列がランダムな場合に比べて~0.2eV小さいことが示唆された。既報の知見と併せて白金電極と8-PNP-O12の界面の電子構造を構築した。(著者抄録)

シソーラス用語： *液晶 ,  *有機半導体 ,  界面 ,  *電子構造 ,  イオン化ポテンシャル ,  光学的測定 ,  偏光測定 ,  誘電率 ,  白金電極
準シソーラス用語： イオン化エネルギー ,  正孔注入 ,  電極界面 ,  偏光顕微鏡法

分類 (1件)： 非晶質の電子構造一般  (BM02041I)

物質索引 (1件)： 8-PNP-O12

引用文献 (34件)：

• 1) N. F. Mott, Proc. Cambridge, Philos. Soc., 34, 568 (1938).
• 2) W. Schottky, Phys. Z., 41, 570 (1940).
• 3) K. Seki, H. Yanagi, Y. Kobayashi, T. Ohta, and T. Tani, Phys. Rev. B, 49, 2760 (1994).
• 4) K. Seki, T. Tani, and H. Ishii, Thin Solid Films, 273, 20 (1996).
• 5) H. Ishii, K. Sugiyama, E. Ito, and K. Seki, Advanced Materials, 11, 605 (1999).

タイトルに関連する用語 (5件)： 液晶 ,  有機半導体 ,  電極界面 ,  電子構造 ,  イオン化エネルギー