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J-GLOBAL ID：201302285034507090   整理番号：13A1828020

Alloy600上に成長させた酸化膜の異なる溶存水素量のPWR模擬一次冷却水条件下における半導性挙動とバンドギャップエネルギー

Semiconducting behavior and bandgap energies of oxide films grown on alloy 600 under PWR simulated primary water conditions with different dissolved hydrogen contents

著者 (3件)： LOUCIF A. ,  PETIT J.-p. ,  WOUTERS Y.
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 443  号： 1-3  ページ： 222-229  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶存水素量を変えて,Alloy600を異なる模擬PWR一次冷却水条件下で酸化させた。酸化膜の半導性挙動とバンドギャップエネルギーの特性化に用いた光電気化学技術はスケールが幾つかの成分を持つことを示した。2.5eV以下の光子エネルギーにおける光電流はn型半導性を示した。高エネルギーで測定した光電流は水素分圧に依存して他の成分がn型又は絶縁性であることを示した。また筆者らの開発した新しい手法を用いて,スケールの半導性要素の数を決定し,それぞれに対するバンドギャップエネルギーを評価した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *冷却水 ,  Alloy600 ,  *酸化膜 ,  水素 ,  溶存ガス ,  PWR型原子炉 ,  半導性 ,  スケール ,  *エネルギー ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *バンドギャップエネルギー ,  溶存水素 ,  *一次冷却水

分類 (1件)： 原子炉冷却系  (MD04040P)

タイトルに関連する用語 (9件)： Alloy600 ,  成長 ,  酸化膜 ,  溶存水素 ,  PWR ,  一次冷却水 ,  半導性 ,  挙動 ,  バンドギャップエネルギー