文献

J-GLOBAL ID：201302285052395231   整理番号：13A0243517

AC動作下における多結晶シリコンTFT CMOSインバータの劣化

Degradation of Polycrystalline Silicon TFT CMOS Inverters under AC Operation

著者 (4件)： CHEN Wei (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  WANG Mingxiang (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  ZHOU Yan (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  WONG Man (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 1  ページ： 295-300  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AC動作下における多結晶シリコン(ポリSi)薄膜トランジスタ(TFT)CMOSインバータの劣化を研究した。ポリSi TFTのキンク効果を考慮した以前のドレイン電流モデルにより,インバータの電圧伝送特性(VTC)を適切に記述できた。n-TFTのホットキャリア及びp-TFTの負バイアス温度不安定性を,AC動作下のインバータ劣化を制御する競合劣化機構であると考え,VTCの二段階劣化を導いた。この劣化機構により,インバータの劣化機構により,異なるAC動作下におけるインバータの劣化性能の予測を得,回路設計に対して敏感にした。

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  *CMOS構造 ,  *インバータ ,  ホットキャリア ,  熱安定性 ,  キンク ,  低温生成 ,  *劣化 ,  駆動回路 ,  回路設計
準シソーラス用語： NBTI ,  LTPS【シリコン】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ac ,  多結晶シリコン ,  TFT ,  CMOSインバータ