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J-GLOBAL ID：201302285345795617   整理番号：13A0716445

高電流電界放出カソードについてのSiにおけるCNT微細構造の高さおよび接触界面の役割

Role of height and contact interface of CNT microstructures on Si for high current field emission cathodes

著者 (6件)： NAVITSKI A. (Univ. of Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  SERBUN P. (Univ. of Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  MUELLER G. (Univ. of Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  JOSHI R. K. (Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  ENGSTLER J. (Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  SCHNEIDER J. J. (Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, DEU)
資料名： European Physical Journal. Applied Physics  (European Physical Journal. Applied Physics)
巻： 59  号： 1  ページ： 11302,1-11302,6  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： B0655C  ISSN： 1286-0042  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高電流 ,  電界放出 ,  カソード ,  Si ,  CNT ,  微細構造 ,  接触界面 ,  役割