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J-GLOBAL ID:201302285373167834   整理番号:13A1577820

CIGS薄膜太陽電池のプロセスおよびセル評価

著者 (1件):
資料名:
巻:号:ページ: 230-235  発行年: 2013年09月20日 
JST資料番号: F0907C  ISSN: 2186-702X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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カルコパイライト半導体Cu(In,Ga)Se2(CIGS)を用いた薄膜太陽電池は小面積セルで20.3%の変換効率を有し,薄膜太陽電池では最高の値である。本論文では,筆者が行ってきたCIGS太陽電池のフォトルミネッセンス(PL)による評価法について解説した。ヘテロ接合のPL強度および発光寿命は励起光による光起電力を反映していることを示した。CIGS太陽電池における2次元のPLマッピング測定の結果,PL法はLBIC法と比べて敏感に光起電力を反映していることを示した。PL法をCIGS太陽電池プロセスに拡張し,PL法が太陽電池プロセスにおける多層薄膜構造の作製中のモニターとして有用であることを示した。
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分類 (1件):
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電池一般 
引用文献 (17件):
  • JACKSON, P. Prog. Photovolt. Res. Appl. 2011, 19, 894
  • SHAFARMAN, W. N. Handbook of photovoltaic Science and Engineering. 2002, 567-616
  • CONTRERAS, M. A. Proc. 24th IEEE Phtotvoltaic Specialists Conference (Waikoloa, USA). 1994, 68-75
  • ROCKETT, A. J. Appl. Phys. 1991, 70, R81
  • TURCE, M. Wide-Gap Chalcopyrites. 2005, 91-111
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