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J-GLOBAL ID：201302285679678433   整理番号：13A0035632

NH₃によるTiN原子層堆積に及ぼすアミドTi前駆体の影響

Effect of the amido Ti precursors on the atomic layer deposition of TiN with NH₃

著者 (2件)： CHO Gihee (Dep. of Chemical Engineering, System on Chip Chemical Process Res. Center, Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  RHEE Shi-woo (Dep. of Chemical Engineering, System on Chip Chemical Process Res. Center, Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 31  号： 1  ページ： 01A117-01A117-5  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NH₃によるTiN原子層堆積に及ぼすアミドTi前駆体,テトラキスジメチルアミドチタン(TDMAT),テトラキスエチルメチルアミドチタン(TEMAT),およびテトラキスジエチルアミドチタン(TDEAT)の影響を研究した。各々の前駆体の表面分解メカニズムをその場Fourier変換赤外分光法によって研究した。前駆体のエチル配位子はメチルのそれよりも安定でTDMAT,TEMAT,およびTDEATの表面分解温度はSiO₂表面上でそれぞれ,175,200および250°Cであった。この膜の抵抗率は膜の結晶化に起因して,基板温度の増加によって減少した。炭素取り込み量が最大であるため例え原子層堆積温度幅が最も狭くても,TDMATによって堆積したTiN膜は最小抵抗率を示した。炭素取り込みはTiCの形成とおそらく膜中の空孔の除去によって堆積後の酸素取り込みを導く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  アンモニア ,  前駆体 ,  熱分解 ,  配位子 ,  *電気抵抗率 ,  炭素 ,  取込 ,  炭化チタン ,  空格子点 ,  酸素 ,  カルボニル化合物 ,  *原子層エピタクシー ,  *有機チタン化合物 ,  *MOCVD ,  *蒸着膜 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  基板温度 ,  結晶度
準シソーラス用語： アミド【有機化合物】

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

物質索引 (3件)： テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(IV) ,  テトラキス(エチルメチルアミノ)チタン(IV) ,  テトラキス(ジエチルアミノ)チタン(IV)

タイトルに関連する用語 (4件)： NH3 ,  TiN ,  原子層堆積 ,  前駆体