文献

J-GLOBAL ID：201302285722898698   整理番号：13A0408420

さまざまなアモルファス化イオンビームエネルギーを加えたサファイヤ上シリコン構造の再結晶化

Recrystallization of silicon-on-sapphire structures at various amorphization-ion-beam energies

著者 (4件)： ALEXANDROV P. A. (Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS) ,  DEMAKOV K. D. (Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS) ,  SHEMARDOV S. G. (Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS) ,  KUZNETSOV Yu. Yu. (Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 2  ページ： 298-300  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイヤ基板上のシリコン膜をシリコンサファイヤ界面からの再結晶化により成長した。エネルギーが90~150keVのシリコンイオンによるイオン注入によってアモルファス層を形成した。シリコン膜結晶の完全性を評価するために,X線ロッキングカーブを使用した。再結晶化ではシリコン層は異なった結晶性を有する2つの部分から成り立っている。再結晶化したサファイヤ上シリコン構造はより完全性の高い上層(マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するための)と多くの数の欠陥を含んだサファイヤ基板に隣り合った下層から成り立っている。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *再結晶 ,  サファイア ,  ケイ素 ,  *アモルファス化 ,  *イオンビーム ,  エネルギー ,  イオン注入 ,  界面 ,  非晶質 ,  *半導体薄膜 ,  完全性 ,  ロッキングカーブ ,  X線 ,  上層 ,  下層 ,  格子欠陥 ,  マイクロエレクトロニクス
準シソーラス用語： イオンエネルギー ,  *シリコン薄膜

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (6件)： アモルファス化 ,  イオンビーム ,  エネルギー ,  サファイヤ ,  シリコン ,  再結晶化