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J-GLOBAL ID：201302285767782291   整理番号：13A0994772

イオン液体を利用した有機半導体デバイスの開発

High-Performance Organic Field-Effect Transistors with Ionic Liquids

著者 (4件)： 小野新平 (Central Res. Inst. of Electric Power Ind.) ,  坂上知 (Central Res. Inst. of Electric Power Ind.) ,  坂上知 (Innovation Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.) ,  関志朗 (Central Res. Inst. of Electric Power Ind.)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 34  号： 4  ページ： 204-209 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン液体を用いた電気二重層ゲーティング方は通常のドーピングの可能性を二桁増加し,固体状態の新しい物理学だけでなく,散逸しないデバイスへの潜在用途への新たな道を開く。ここではイオン液体電解質を持つ高性能有機電界効果トランジスタを報告した。ルブレン結晶中でアモルファスシリコンデバイスより桁がより大きい12.6cm2/Vsの高いキャリア移動度を持ち,明白な電流増幅は,誘電ゲート絶縁体を持つ有機薄膜トランジスタに必要な大きさより二桁小さい,たった0.2Vのゲート電圧で達成される。その結果,イオン液体/有機半導体界面は,固体/液体界面の形成中のキャリア移動度を犠牲にすること無しに,低電力で急速なスイッチングの電界効果トランジスタに適していることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン液体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  アモルファスシリコン ,  キャリア移動度 ,  拡大 ,  電圧 ,  スイッチング ,  *半導体素子 ,  ゲート【半導体】 ,  固体素子 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *有機電界効果トランジスタ ,  電流増幅 ,  ゲート絶縁体 ,  ゲート電圧 ,  *有機半導体デバイス ,  発光デバイス

分類 (3件)： 融解塩  (CB05050R) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ルブレン

引用文献 (34件)：

• NAKAYAMA, K. Adv. Mater. 2011, 23, 1623
• MINEMAWARI, H. Nature. 2011, 475, 364
• MENARD, E. Adv. Mater. 2004, 16, 2097
• TAKEYA, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 102120
• LIN, Y. Y. IEEE Trans. Electron Devices. 1997, 44, 1325

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン液体 ,  有機半導体デバイス ,  開発